Graphene ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်း

1၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာထုတ်ယူခြင်းနည်းလမ်း
Mechanical stripping method သည် အရာဝတ္ထုများနှင့် graphene အကြား ပွတ်တိုက်မှုနှင့် နှိုင်းရရွေ့လျားမှုကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် graphene ပါးလွှာသော အလွှာပစ္စည်းများကို ရရှိရန် နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ နည်းလမ်းသည် လည်ပတ်ရန် ရိုးရှင်းပြီး ရရှိသော graphene သည် များသောအားဖြင့် ပြီးပြည့်စုံသော ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။ 2004 ခုနှစ်တွင် ဗြိတိသျှသိပ္ပံပညာရှင်နှစ်ဦးသည် ဂရပ်ဖင်းအလွှာကို စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထုတ်ယူခြင်းနည်းလမ်းအဖြစ် သတ်မှတ်ခံခဲ့ရသော သဘာဝဂရပ်ဖိုက်အလွှာကို အလွှာအလိုက် အလွှာလိုက်ဖယ်ရှားရန် ဖောက်ထွင်းမြင်ရသောတိပ်ကို အသုံးပြုခဲ့သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် တစ်ချိန်က ထိရောက်မှု မရှိ၍ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်နိုင်ခြင်း မရှိဟု ယူဆခဲ့သည်။
မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ စက်မှုလုပ်ငန်းသည် graphene ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများတွင် သုတေသနနှင့် တီထွင်ဆန်းသစ်မှုများစွာကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ လက်ရှိတွင်၊ Xiamen၊ Guangdong နှင့် အခြားပြည်နယ်နှင့် မြို့ကြီးများမှ ကုမ္ပဏီအများအပြားသည် ကုန်ကျစရိတ်နည်းပြီး အရည်အသွေးမြင့် ဂရပ်ဖင်းကို စက်မှုထုတ်ယူသည့်နည်းလမ်းကို အသုံးပြုကာ ကုန်ကျစရိတ်နည်းပြီး အရည်အသွေးမြင့် ဂရပ်ဖင်း၏ ထုတ်လုပ်မှုဆိုင်ရာ ပိတ်ဆို့မှုကို ကျော်လွှားနိုင်ခဲ့ကြသည်။

2. Redox နည်းလမ်း
Oxidation-reduction method သည် sulfuric acid နှင့် nitric acid နှင့် potassium permanganate နှင့် hydrogen peroxide ကဲ့သို့သော ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်ပစ္စည်းများ၊ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများကြား အကွာအဝေးကို တိုးမြင့်စေပြီး ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများကြား အောက်ဆိုဒ်များကို ထည့်သွင်းကာ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများကြား အောက်ဆိုဒ်များကို ထည့်သွင်းခြင်းဖြင့် အောက်ဆီဂျင်လျှော့ချရေးနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ထို့နောက် ဓာတ်ပြုပစ္စည်းကို ရေဖြင့်ဆေးကြောပြီး ဂရပ်ဖိုက်အောက်ဆိုဒ်မှုန့်ကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် အပူချိန်နိမ့်သောနေရာတွင် အခြောက်ခံပါ။ Graphene oxide သည် ဂရပ်ဖိုက်အောက်ဆိုဒ်အမှုန့်ကို အခွံခွာပြီး အပူချိန်မြင့်မြင့်ချဲ့ခြင်းဖြင့် ပြင်ဆင်ခဲ့သည်။ နောက်ဆုံးတွင် graphene (RGO) ရရှိရန် ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် graphene အောက်ဆိုဒ်ကို လျှော့ချခဲ့သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် အထွက်နှုန်းမြင့်မားသော်လည်း ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးနိမ့် [13] ဖြင့် လုပ်ဆောင်ရန် ရိုးရှင်းပါသည်။ Oxidation-reduction နည်းလမ်းသည် အန္တရာယ်ရှိသော ဆာလဖူရစ်အက်ဆစ်နှင့် နိုက်ထရစ်အက်ဆစ်ကဲ့သို့ ပြင်းထန်သော အက်ဆစ်များကို အသုံးပြုပြီး သန့်ရှင်းရေးအတွက် ရေများစွာ လိုအပ်ပြီး သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ကို ညစ်ညမ်းစေပါသည်။

redox နည်းလမ်းဖြင့် ပြင်ဆင်ထားသော Graphene သည် ကြွယ်ဝသော အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်သော လုပ်ငန်းဆောင်တာအုပ်စုများ ပါ၀င်ပြီး ပြုပြင်ရန် လွယ်ကူသည်။ သို့သော်၊ graphene အောက်ဆိုဒ်ကို လျှော့ချသည့်အခါ၊ လျှော့ချပြီးနောက် graphene ၏အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်မှုကို ထိန်းချုပ်ရန်ခက်ခဲပြီး နေ၏သြဇာလွှမ်းမိုးမှုအောက်တွင် ဂရပ်ဖင်းအောက်ဆိုဒ်သည် အဆက်မပြတ်လျော့ကျသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ ရထားတွဲအတွင်း အပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့် အခြားပြင်ပအချက်များကြောင့် graphene ထုတ်ကုန်များ၏ အရည်အသွေး၊ redox နည်းလမ်းဖြင့် ထုတ်လုပ်ခြင်းသည် အသုတ်တစ်သုတ်မှ မကြာခဏ ကွဲလွဲနေပြီး အရည်အသွေးကို ထိန်းချုပ်ရန် ခက်ခဲစေသည်။
လက်ရှိအချိန်တွင် လူများစွာသည် ဂရပ်ဖိုက်အောက်ဆိုဒ်၊ ဂရပ်ဖင်းအောက်ဆိုဒ်နှင့် ဂရပ်ဖင်းအောက်ဆိုဒ်ကို လျှော့ချပေးသည့် သဘောတရားများကို ရောထွေးနေကြသည်။ ဂရပ်ဖိုက်အောက်ဆိုဒ်သည် အညိုရောင်ဖြစ်ပြီး ဂရပ်ဖိုက်နှင့် အောက်ဆိုဒ်၏ ပိုလီမာဖြစ်သည်။ Graphene oxide သည် ဂရပ်ဖိုက်အောက်ဆိုဒ်ကို အလွှာတစ်ခု၊ နှစ်လွှာ သို့မဟုတ် oligo အလွှာတစ်ခုသို့ ခြစ်ထုတ်ခြင်းဖြင့် ရရှိသော ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်ပြီး အောက်ဆီဂျင်ပါဝင်သော အုပ်စုများစွာပါ၀င်သောကြောင့် ဂရပ်ဖင်းအောက်ဆိုဒ်သည် လျှပ်ကူးနိုင်ခြင်းမရှိသည့်အပြင် တက်ကြွသောဂုဏ်သတ္တိများပါရှိပြီး စဉ်ဆက်မပြတ်လျှော့ချပေးမည်ဖြစ်သည်။ အထူးသဖြင့် အပူချိန်မြင့်သည့် ပစ္စည်းများ လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း ဆာလဖာဒိုင်အောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့သော ဓာတ်ငွေ့များကို ထုတ်လွှတ်ပါ။ ဂရပ်ဖင်းအောက်ဆိုဒ်ကို လျှော့ချပြီးနောက် ထုတ်ကုန်ကို ဂရပ်ဖင်း (Graphene Oxide) လျှော့ချပေးသည်။

3. (ဆီလီကွန်ကာဗိုက်) SiC epitaxial နည်းလမ်း
SiC epitaxial နည်းလမ်းသည် ပစ္စည်းများမှ ဆီလီကွန်အက်တမ်များကို ခွဲထုတ်ပြီး ကျန်ရှိသော C အက်တမ်များကို အလွန်မြင့်မားသော လေဟာနယ်နှင့် အပူချိန်မြင့်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ကိုယ်တိုင်စုရုံးခြင်းဖြင့် ပြန်လည်တည်ဆောက်ခြင်းဖြင့် SiC အလွှာအပေါ်အခြေခံ၍ graphene ကို ရရှိစေပါသည်။ ဤနည်းလမ်းဖြင့် အရည်အသွေးမြင့် graphene ကိုရရှိနိုင်သော်လည်း ဤနည်းလမ်းသည် ပိုမိုမြင့်မားသော စက်ကိရိယာများ လိုအပ်ပါသည်။